Numéro de produit du fabricant:
BSC265N10LSFGATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSC265N10LSFGATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
Description détaillée:
N-Channel 100 V 6.5A (Ta), 40A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventaire:
13914 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13063880
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SOUMETTRE
BSC265N10LSFGATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.5A (Ta), 40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
26.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 43µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1600 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
78W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8-1
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
BSC265
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
SP000379618
BSC265N10LSFGATMA1TR
BSC265N10LSFGATMA1CT
BSC265N10LSFGATMA1DKR
BSC265N10LSF G-ND
BSC265N10LSF G
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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