BSC019N04LSTATMA1
Numéro de produit du fabricant:

BSC019N04LSTATMA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BSC019N04LSTATMA1-DG

Description:

MOSFET N-CH 40V
Description détaillée:
N-Channel 40 V 28A (Ta), 161A (Tc) 94W (Tc)

Inventaire:

5000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12854711
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

BSC019N04LSTATMA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
28A (Ta), 161A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4060 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
94W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TA)
Ensemble d’appareils du fournisseur
-
Emballage / Caisse
-
Numéro de produit de base
BSC019

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
5,000
Autres noms
448-BSC019N04LSTATMA1CT
SP002235178
448-BSC019N04LSTATMA1TR
BSC019N04LSTATMA1-DG
448-BSC019N04LSTATMA1DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
infineon-technologies

IRLR3715

MOSFET N-CH 20V 54A DPAK

infineon-technologies

BUZ73H3046XKSA1

MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3

renesas-electronics-america

HAT2170H-EL-E

MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

onsemi

NDS9430A

MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SOIC