Numéro de produit du fabricant:
ICE11N70FP
Product Overview
Fabricant:
IceMOS Technology
DiGi Electronics Numéro de pièce:
ICE11N70FP-DG
Description:
Superjunction MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 700 V 11A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventaire:
50 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13001968
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SOUMETTRE
ICE11N70FP Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
IceMOS Technology
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
700 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
270mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2816 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
35W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FP
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
5133-ICE11N70FP
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
PMPB09R1XNX
SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
MCMN2014-TP
MOSFET N-CHANNEL MOSFET
MCAC16N03-TP
MOSFET N-CH 30VDS 20VGS 16A 50A
