Numéro de produit du fabricant:
GT025N06AM
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
GT025N06AM-DG
Description:
N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Description détaillée:
N-Channel 60 V 170A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventaire:
791 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12997602
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SOUMETTRE
GT025N06AM Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
SGT
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
170A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5119 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
215W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
4822-GT025N06AMTR
3141-GT025N06AMDKR
3141-GT025N06AMCT
3141-GT025N06AMTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
GT025N06AM
FABRICANT
Goford Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
8000
NUMÉRO DE PIÈCE
GT025N06AM-DG
PRIX UNITAIRE
0.66
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
GT025N06AM
MOSFET N-CH 60V 170A TO-263
GT035N10T
N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4
GT007N04TL
N40V,150A,RD<1.5M@10V,VTH1.0V~2.
