Numéro de produit du fabricant:
G1K3N10G
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G1K3N10G-DG
Description:
N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Description détaillée:
N-Channel 100 V 5A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SOT-89
Inventaire:
778 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12993027
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SOUMETTRE
G1K3N10G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
130mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
644 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-89
Emballage / Caisse
TO-243AA
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
3141-G1K3N10GTR
4822-G1K3N10GTR
3141-G1K3N10GCT
3141-G1K3N10GDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certification DIGI
Produits Connexes
G1K3N10G
MOSFET N-CH 100V 5A TO-89
G220P02D2
MOSFET P-CH 20V 8A DFN2*2-6L
DMTH47M2LFVWQ-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333
