Numéro de produit du fabricant:
G3R350MT12D
Product Overview
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G3R350MT12D-DG
Description:
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 11A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
5904 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12978342
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SOUMETTRE
G3R350MT12D Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Emballage
Tube
Série
G3R™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V
rds activé (max) @ id, vgs
420mOhm @ 4A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.69V @ 2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±15V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
334 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
74W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
G3R350
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
1242-G3R350MT12D
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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