Numéro de produit du fabricant:
FQPF5N90
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQPF5N90-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Description détaillée:
N-Channel 900 V 3A (Tc) 51W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventaire:
450 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946718
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SOUMETTRE
FQPF5N90 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
QFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
900 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1550 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
51W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
205
Autres noms
2156-FQPF5N90
ONSONSFQPF5N90
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
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