Numéro de produit du fabricant:
FQA27N25
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQA27N25-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Description détaillée:
N-Channel 250 V 27A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventaire:
237 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946804
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SOUMETTRE
FQA27N25 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
QFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
27A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
110mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2450 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
210W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3PN
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
189
Autres noms
2156-FQA27N25
ONSONSFQA27N25
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
FDS8672S
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
AUIRF3205ZS
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
FDP39N20
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
