FDS9400A
Numéro de produit du fabricant:

FDS9400A

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDS9400A-DG

Description:

MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
Description détaillée:
P-Channel 30 V 3.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventaire:

30048 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947099
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

FDS9400A Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
130mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.5 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
205 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
574
Autres noms
2156-FDS9400A
ONSONSFDS9400A

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
fairchild-semiconductor

FQA9N90-F109

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

renesas-electronics-america

N0301N-T1-AT

N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANS

fairchild-semiconductor

FDPF10N50FT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

international-rectifier

IRF7483MTRPBF

MOSFET N-CH 40V 135A DIRECTFET