Numéro de produit du fabricant:
FDPF51N25YDTU
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDPF51N25YDTU-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3
Description détaillée:
N-Channel 250 V 51A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Inventaire:
566 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946581
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SOUMETTRE
FDPF51N25YDTU Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
UniFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
51A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
60mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3410 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
38W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3 (Y-Forming)
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
153
Autres noms
ONSFSCFDPF51N25YDTU
2156-FDPF51N25YDTU
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
FDP025N06
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQP6N40C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
FDMS7660
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