Numéro de produit du fabricant:
DMTH10H4M6SPS-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMTH10H4M6SPS-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Description détaillée:
N-Channel 100 V 20A (Ta), 100A (Tc) 2.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Inventaire:
2500 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12978964
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SOUMETTRE
DMTH10H4M6SPS-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4327 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.7W (Ta), 136W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI5060-8
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
DMTH10
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMTH10H4M6SPS-13CT
31-DMTH10H4M6SPS-13TR
31-DMTH10H4M6SPS-13DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMT10H9M9SCT
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
DMP610DLQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
DMT8008LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
