DMN2100UDM-7
Numéro de produit du fabricant:

DMN2100UDM-7

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMN2100UDM-7-DG

Description:

MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
Description détaillée:
N-Channel 20 V 3.3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-26

Inventaire:

4790 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12882127
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
dwE5
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

DMN2100UDM-7 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
55mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
555 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-26
Emballage / Caisse
SOT-23-6
Numéro de produit de base
DMN2100

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
DMN2100UDMDIDKR
DMN2100UDMDICT
DMN2100UDM7
DMN2100UDMDITR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

DMTH4004LPSQ-13

MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8

diodes

DMP2109UVT-7

MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26

diodes

DMP34M4SPS-13

MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8

vishay-siliconix

IRFD9014

MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP