Numéro de produit du fabricant:
DMG4N65CT
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMG4N65CT-DG
Description:
MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 2.19W (Ta) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
12883638
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SOUMETTRE
DMG4N65CT Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
900 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.19W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
DMG4
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
DMG4N65CTDI
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STP5NK80Z
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
240
NUMÉRO DE PIÈCE
STP5NK80Z-DG
PRIX UNITAIRE
0.85
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP4N80P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP4N80P-DG
PRIX UNITAIRE
1.10
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF820PBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
1744
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF820PBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.47
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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