AOTF66616L
Numéro de produit du fabricant:

AOTF66616L

Product Overview

Fabricant:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

AOTF66616L-DG

Description:

MOSFET N-CH 60V 38A/72.5A TO220F
Description détaillée:
N-Channel 60 V 38A (Ta), 72.5A (Tc) 8.3W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220F

Inventaire:

2252 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12846570
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SOUMETTRE

AOTF66616L Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Emballage
Tube
Série
AlphaSGT™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
38A (Ta), 72.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2870 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
8.3W (Ta), 30W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
AOTF66616

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
5202-AOTF66616L
785-1824

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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